Номер детали производителя : | RS1JL MTG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GP 600V 800MA SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RS1JL MTG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS1JL MTG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GP 600V 800MA SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RS1JL MTG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 800 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 250 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 800mA |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | RS1J |
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA